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三星量产512GB eUFS 3.1闪存 写入速度提升3倍

来源:  时间:2020-03-17 14:43   作者:广昌新闻网
现在,UFS 3.0芯片已经成为旗舰机的标配,不过未来我们在旗舰机上或许还能看到速度更快的芯片。今天,三星电子正式宣布已开始量产业界首款用于旗舰机的512GB eUFS 3.1芯片,与此前的三星eUFS 3.0芯片相比,eUFS 3.1芯片的写入速度是以前的三倍。 根据三星官

  现在,UFS 3.0芯片已经成为旗舰机的标配,不过未来我们在旗舰机上或许还能看到速度更快的芯片。今天,三星电子正式宣布已开始量产业界首款用于旗舰机的512GB eUFS 3.1芯片,与此前的三星eUFS 3.0芯片相比,eUFS 3.1芯片的写入速度是以前的三倍。

  根据三星官方提供的数据显示,三星512GB eUFS 3.1的连续写入速度超过1200MB/s,装有新eUFS 3.1的手机仅需1.5分钟即可处理100GB数据,而基于UFS 3.0的手机则需要4分钟以上。另外,512GB eUFS 3.1的处理速度比UFS 3.0版本快60%,随机读取和写入速度分别为100000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70000 IOPS。

  除512GB版本外,三星还将在今年晚些时候发布256GB和128GB版本的芯片。据了解,三星已经开始在西安的新生产线(X2)量产第五代V-NAND,以完全满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求。

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